SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 '1c LPDDR6' D램 개발 성공

 

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) LPDDR6 D램을 세계 최초로 개발하고 인증을 완료했습니다. 이 제품은 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 33% 높이고 전력 소모를 20% 이상 줄여, 온디바이스 AI 환경에 최적화된 성능을 제공할 예정입니다.

---

하반기 공급 목표, 온디바이스 AI 시장 정조준

SK하이닉스는 2026년 3월 10일, 차세대 모바일용 D램인 **'1c LPDDR6'**의 개발 소식을 발표했습니다. 지난 1월 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2026'에서 해당 제품을 처음 공개한 이후, 최근 세계 최초로 제품 개발 인증까지 마무리하며 양산 준비 단계에 진입했습니다.

회사는 2026년 상반기 중 양산 체제를 갖추고, 올해 하반기부터 글로벌 스마트폰 및 태블릿 제조사를 대상으로 본격적인 제품 공급을 시작할 계획입니다.

1c LPDDR6 주요 특징 및 성능 개선

이번 6세대(1c) D램은 기존 5세대(1b) 제품인 LPDDR5X와 비교해 성능과 효율성 측면에서 큰 폭의 진전을 이뤘습니다.

• 데이터 처리 속도 향상: 대역폭 확장을 통해 초당 데이터 전송량을 늘려, 이전 세대보다 속도가 약 33% 향상되었습니다.
• 초고속 동작 구현: 기본 동작 속도가 10.7Gbps 이상으로 설계되어 기존 제품들의 최대 성능을 상회합니다.
• 전력 효율 최적화: 이전 제품 대비 소비 전력을 20% 이상 절감했습니다. 이는 배터리 지속 시간 연장과 발열 제어에 기여합니다.

전력 관리 및 설계 기술의 혁신

SK하이닉스는 전력 소모를 최소화하기 위해 두 가지 핵심 기술을 적용했다고 밝혔습니다.

1. 서브 채널 구조: 데이터가 오가는 경로 중 필요한 부분만 선택적으로 활성화하여 불필요한 전력 낭비를 방지합니다.
2. DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling): 모바일 기기의 작업 부하에 따라 전압과 주파수를 실시간으로 조절합니다. 고사양 게임 실행 시에는 성능을 극대화하고, 일반 작업 시에는 전력을 낮추는 방식입니다.

반도체 미세공정의 진화 (1x에서 1c까지)

반도체 업계는 10나노급 D램의 기술 세대를 알파벳 기호로 구분합니다. 이번에 개발된 1c 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)를 잇는 6세대 기술입니다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 8월 업계 최초로 1c 공정을 적용한 DDR5 D램 개발을 발표한 바 있으며, 이번 LPDDR6 개발을 통해 모바일용 제품군까지 최선단 공정 적용을 확대하게 되었습니다.

---

참고 및 출처:

• SK하이닉스 뉴스룸 - 1c LPDDR6 Development
• 매일경제 - SK하이닉스 10나노급 6세대 D램 하반기 공급
• 조선비즈 - SK하이닉스 세계 최초 1c LPDDR6 개발 인증